[发明专利]一种优化压控振荡器相位噪声的方法及压控振荡器无效
| 申请号： | 200810197382.6 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101388645A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 江金光;赵静;刘经南 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03B5/02 | 分类号： | H03B5/02;H03B5/08 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程 祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于噪声频谱混叠机制的优化压控振荡器相位噪声的方法及压控振荡器。在不改变压控振荡器电路元器件的前提下，按gm＝4/R设计压控振荡器的负阻补偿电路MOS晶体管尺寸。本发明还提供了一种低相位噪声的压控振荡器，包括LC谐振腔、负阻补偿电路、偏置电路，负阻补偿电路中的MOS晶体管尺寸满足以下条件：gm＝4/R。R为LC谐振腔的寄生电阻；gm为压控振荡器电路在平衡状态下时，负阻补偿电路MOS晶体管的有效跨导。本发明的有益效果是，在不改变电路元器件的前提下，保证压控振荡器在任意偏置条件，任意振荡频率处取得相位噪声的最低值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 压控振荡器 相位 噪声 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种优化压控振荡器相位噪声的方法，其特征是：按设计压控振荡器的负阻补偿电路MOS晶体管尺寸；其中R表示LC谐振腔的寄生电阻；gm表示压控振荡器电路在平衡状态下时，负阻补偿电路MOS晶体管的有效跨导。
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