[发明专利]一种优化压控振荡器相位噪声的方法及压控振荡器无效
| 申请号： | 200810197382.6 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101388645A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 江金光;赵静;刘经南 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03B5/02 | 分类号： | H03B5/02;H03B5/08 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程 祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 压控振荡器 相位 噪声 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化压控振荡器相位噪声的方法，其特征是：按
2.一种低相位噪声的压控振荡器，包括LC谐振腔(3)、负阻补偿电路(2)、偏置电路(1)，其特征是：负阻补偿电路中的MOS晶体管尺寸满足以下条件：
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