[发明专利]光电二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种高可靠性的光电二极管，以及制造这种光电二极管的简单方法。在光电二极管制造期间，在吸收层的上表面上外延生长缓变层，并且在所述缓变层的上表面上外延生长用于抑制电流流动的阻挡层。然后，阻挡层被蚀刻以暴露所述缓变层的上表面的窗口区域。这样，被蚀刻的阻挡层限定所述吸收层的活性区域。在所述阻挡层的上表面上和所述缓变层的上表面的窗口区域上外延再生长窗口层，并且然后蚀刻所述窗口层以形成窗口台面。

主权项

1、一种光电二极管，包括半导体材料的衬底；层堆叠，所述层堆叠被置于所述衬底的上表面上，其中，所述层堆叠包括第一导电型的非本征半导体材料的第一缓冲层，用于调节晶格失配；本征半导体材料的吸收层，用于吸收光以产生载流子，所述吸收层被置于所述层堆叠的上表面上；本征半导体材料的缓变层，用于促进电流流动，所述缓变层被置于所述吸收层的上表面上；第一导电型的非本征半导体材料的阻挡层，用于抑制电流流动，所述阻挡层被置于除了所述缓变层的上表面的窗口区域以外的缓变层的上表面上；以及第二导电型的非本征半导体材料的窗口台面，用于将光传输至所述吸收层，所述窗口台面被置于所述阻挡层的上表面的窗口区域上和所述缓变层的上表面的窗口区域上。