[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810178259.X | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101447496A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 尹盈提 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其制造方法,可以包括:半导体衬底;多个光电二极管,形成在该半导体衬底上和/或上方;第一绝缘层,形成在包括所述多个光电二极管的该半导体衬底上和/或上方;至少一根金属线,形成在该第一绝缘层上和/或上方;具有多个阱的第二绝缘层,形成在所述多个光电二极管上和/或上方;多个滤色镜,通过在所述多个阱中嵌入多个滤色镜层而形成;以及多个微透镜,形成在所述多个滤色镜上和/或上方。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种方法,包括以下步骤:提供半导体衬底;然后在该半导体衬底中形成多个光电二极管;然后在包括所述多个光电二极管的该半导体衬底上方形成第一绝缘层;然后在该第一绝缘层上方形成至少一根金属线;然后在包括所述至少一根金属线的该第一绝缘层上方形成第二绝缘层;然后通过蚀刻该第二绝缘层而在所述多个光电二极管上方形成多个阱;然后用滤色镜层填充所述多个阱,以形成多个滤色镜;以及然后在所述多个滤色镜上方形成多个微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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