[发明专利]制作薄膜磁头的方法无效
| 申请号： | 200810173196.9 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101540174A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 伊藤隆司;大松英晃 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制作薄膜磁头的方法，该方法包括以下步骤：通过在衬底上层叠薄膜来形成记录头部件；在记录头部件中形成气浮面；在记录头部件的基体上形成线圈层；在线圈层的线圈线上并且在由线圈线限定的除线圈层的中央部分之外的空间中形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成上部旁轭；在上部旁轭和第一绝缘层上形成第二绝缘层；对上部旁轭的上表面和第二绝缘层的上表面进行平坦化，以使所述两个表面成为连续的平坦表面；以及通过溅射在所述平坦表面上形成低热膨胀材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 薄膜 磁头 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作薄膜磁头的方法，其包括以下步骤：通过在衬底上层叠薄膜来形成记录头部件；在所述记录头部件的与所层叠的薄膜的表面垂直的一个表面中形成气浮面；在所述记录头部件的基体上形成具有平面螺旋形状的线圈层；在所述线圈层的线圈线上且在由所述线圈线限定的除所述线圈层的中央部分之外的空间中形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成上部旁轭，所述上部旁轭从所述气浮面延伸到所述线圈层的相对于所述线圈层的所述中央部分位于所述气浮面的相对侧的至少一部分；在所述上部旁轭和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；对所述上部旁轭的上表面和所述第二绝缘层的上表面进行平坦化，以使所述两个表面成为连续的平坦表面；以及通过溅射在所述连续的平坦表面上形成低热膨胀材料层。
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