[发明专利]制作薄膜磁头的方法

说明书

背景技术

本发明涉及制作薄膜磁头的方法，更准确地说，涉及制作具有低热 膨胀材料层的薄膜磁头。

近年来，诸如磁盘单元的存储单元的存储容量已经有了显著增加。 因此，要求改善存储介质的性能并改善磁头的再现特性。已经开发出包 括磁阻效应元件的再现头，所述磁阻效应元件例如为能够获得高输出功 率的巨磁阻(GMR)元件、能够获得高再现灵敏性的隧穿磁阻(TMR) 元件。另一方面，已经开发出使用电磁感应的感应型记录头。例如，现 在使用合成型薄膜磁头，其中组合了上面描述的再现头和记录头。

为了改善磁盘单元的记录密度，必须通过减小薄膜磁头相对于磁存 储介质的悬浮量来很大程度地增加磁阻效应再现元件的再现信号的信噪 比(S/N比)。然而，在将磁盘单元用于热环境内的情况下，随着减小薄 膜磁头相对于磁存储介质的表面的悬浮量，使薄膜磁头的气浮面突起存 在一定的问题。导致该问题的原因是，薄膜磁头的热膨胀系数较大的金 属部分和诸如抗蚀剂的有机物在热环境中膨胀，因此，它们不从衬底突 起，而热膨胀系数较小的金属部分和有机物从气浮面突起。如果突起显 著的话，薄膜磁头的一端将接触磁存储介质，由此将损坏薄膜磁头和/或 磁存储介质。在实际的磁盘单元中，薄膜磁头的悬浮量较大，从而不会 导致热环境中的接触。然而，在室温或冷环境中将使薄膜磁头的记录和 再现特性变差，从而不能增加记录密度。因此，必须防止这种突起，以 很大程度地增加磁盘单元的记录密度。

在日本特开专利公开No.2004-192665中公开了能够解决形成这种突 起的问题的常规薄膜磁头，所述突起是因热膨胀而形成在气浮面中的。 图18中示出这种薄膜磁头。这种薄膜磁头具有：用于将从磁存储介质读 取的磁信号转换成电信号的再现部件111；用于将磁信号写入磁存储介质 中的记录部件110；以及形成在部件110和111上的第一保护膜130。此 外，第二保护膜131形成在第一保护膜130上。第二保护膜131的线性 膨胀系数小于第一保护膜130的线性膨胀系数，以抑制所述突起。第二 保护膜131是所谓的“低热膨胀材料层”。注意，符号112代表线圈，符号 114和115代表写磁极(write-magnetic pole)，符号116代表用于限定磁 道宽度的磁极，符号117代表上部读磁极，符号118代表下部读磁极， 符号119代表磁阻效应膜，符号120代表电极，符号124代表基底膜， 而符号125代表衬底。

一般来说，低热膨胀材料层可能接近薄膜磁层的热膨胀系数较大的 金属层，以抑制所述突起。

图19中示出本申请的申请人制作出的另一种具有低热膨胀材料层 的常规薄膜磁头。在薄膜磁头201中，直接在热膨胀系数较大并且严重 影响记录特性的上部旁轭(return yoke)247上层叠低热膨胀材料层252， 从而可以改善防止所述突起的效果。然而，低热膨胀材料层的厚度必须 较厚，例如为1-3μm。因此，如果低热膨胀材料层形成在具有台阶状部 分的上部旁轭247上，则会形成刻蚀残留物或受影响部分260，所以磁头 将具有异常结构，或者受影响部分260将与磁头分离并损坏存储介质。

为了解决这些问题，已经提出改进的方法，其中在形成上部线圈层 之后形成磁层连接层，并且在对上表面平坦化之后形成上部旁轭，但是 必须显著增加制作步骤数，例如增加50步。此外，通过这种改进的方法 不能解决上部旁轭的台阶状部分导致的问题。

发明内容

构想本发明来解决上面描述的问题。

本发明的目的是提供制作薄膜磁头的合适方法，所述方法能够在不 增加制作步骤的情况下对包括上部旁轭的上表面的表面进行平坦化，并 在所述经平坦化的表面上形成没有台阶状部分的低热膨胀材料层。

为了实现此目的，本发明具有以下构成。