[发明专利]点结构体、磁记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810170192.5 申请日: 2008-10-13
公开(公告)号: CN101414466A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 钟江义晴 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/74 分类号: G11B5/74;G11B5/84;G11B5/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭 放
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种点结构体、磁记录介质及其制造方法。在结晶性良好的点结构体、以及使用了图案化介质的磁记录介质中,形成结晶性良好的磁记录点,而提供高功能、高可靠性的磁记录装置。在具有连续的第1层和离散的第2层的点结构体中,在具有晶体结构的薄膜上使用光致抗蚀剂形成槽部,在该槽部中通过外延生长来埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成第1层,在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的槽部中,通过外延生长埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成第2层。在磁记录介质中,在基底层上使用光致抗蚀剂形成槽部,在该槽部中通过外延生长埋入与基底层材料相同的膜。之后,在通过在溶液中去除光致抗蚀剂而形成的槽部中,通过外延生长埋入记录层的磁性膜。
搜索关键词: 结构 记录 介质 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种点结构体,对于连续的第1层配置有离散的第2层,其特征在于,上述第1层具备具有晶体结构的薄膜、和在上述薄膜上利用光致抗蚀剂形成的1个或多个沟槽部中埋入与上述薄膜的材料相同的材料而一体形成的结构,在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的沟槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成了上述第2层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810170192.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top