[发明专利]点结构体、磁记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810170192.5 申请日: 2008-10-13
公开(公告)号: CN101414466A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 钟江义晴 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/74 分类号: G11B5/74;G11B5/84;G11B5/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭 放
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 结构 记录 介质 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及点结构体、具有点结构的磁记录介质及其制造方法。

背景技术

对于HDD等磁记录装置的高速、大容量、低成本化,提高记录介质的记录密度是不可欠缺的。HDD是将成为记录层的磁性薄膜上的磁性粒子的磁化状态用作数据的比特信息的装置,为了实现高记录密度化而需要缩小磁性粒子。但是,在以往的水平磁记录介质中,如果过度缩小磁性粒子则热稳定性大幅降低,所记录的磁化方向产生混乱,造成所记录的信息消失,所以磁性粒子的缩小化存在界限,并且,认为当前已接近该界限。

为了解决该问题,近年来,开发出了使用垂直磁记录方式的介质(例如参照非专利文献1)。垂直磁记录介质抗热摆动能力强,且可以进一步减小比特间隔,所以存在可以实现超过水平磁记录介质的磁性粒子的缩小化界限的高密度化的可能性。但是,当前的垂直磁记录介质的记录膜与以往的水平磁记录介质同样地是磁性薄膜,磁性粒子的尺寸、形状是不规则的。因此,依然存在比特间的偏差、以及在再现信号中产生噪声的问题。

为了解决该问题,提出了被称为图案化介质的磁记录介质(例如参照非专利文献2)。它是通过微细加工使记录层的磁性粒子的尺寸、形状一致,使磁性粒子成为点状而形成于盘上的介质,这对解决上述的问题是有效的。另一方面,为了使易磁化轴相对于基板面水平或垂直地取向,以结晶性良好的状态形成磁记录介质中的记录层的磁性膜是不可欠缺的。为此,与记录膜同样地,记录膜的基底膜的结晶性也是重要的。因此,在使磁记录介质的记录膜的磁性粒子形成为点状的图案化介质中,在形成点结构时,需要极力避免由于蚀刻、使用金属模具的痕迹等而引起的机械性损伤等降低记录膜和基底膜的结晶性的工艺。

【非专利文献1】江讓:「磁気記録媒体」、第28回応用磁気学会サマ—スク—ル、「応用磁気の基礎」(2004.7.13-15)、第1-13頁

【非专利文献2】S.Y.Chou et al.:J.Appl.Phys.76,6673(1994)

发明内容

本发明的目的在于提供一种在相对于具有晶体结构的连续的第1层离散地配置有第2层的点状结构体中,第1层以及第2层的结晶性都良好的点状结构体,以及在使用了图案化介质的磁记录介质中记录膜、基底膜的结晶性都良好的磁记录介质及其制造方法,以实现高功能、高可靠性的磁记录装置。

本发明提供一种点结构体,相对连续的第1层配置有离散的第2层,其特征在于,上述第1层具备:具有晶体结构的薄膜;和在上述薄膜上使用光致抗蚀剂形成的1个或多个槽部中埋入与上述薄膜的材料相同的材料而一体形成的结构,通过去除上述光致抗蚀剂形成的槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成上述第2层。

本发明提供一种点结构体的制造方法,在该结构体中,相对连续的第1层配置有离散的第2层,其特征在于,在具有晶体结构的薄膜上使用光致抗蚀剂形成1个或多个槽部,在上述槽部中埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成上述第1层,在去除上述光致抗蚀剂而形成的槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成离散的上述第2层。

本发明提供一种磁记录介质,其特征在于,在基板上具有基底层,在上述基底层上使用光致抗蚀剂形成的1个或多个槽部中埋入与上述基底层的材料相同的材料,在通过去除上述光致抗蚀剂形成的槽部中埋入记录层的磁性膜。

本发明提供一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,在基板上具有基底层,在上述基底层上使用光致抗蚀剂形成1个或多个槽部,在上述槽部中埋入了与上述基底层的材料相同的材料之后,在去除上述光致抗蚀剂而形成的槽部中埋入记录层的磁性膜。

本发明提供一种磁记录介质,其特征在于,在基板上具有软磁性层,在上述软磁性层上具有基底层,在上述基底层上使用光致抗蚀剂形成的1个或多个槽部中埋入与上述基底层的材料相同的材料,在通过去除上述光致抗蚀剂形成的槽部中埋入记录层的磁性膜。

本发明提供一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,在基板上形成软磁性层,在上述软磁性层上形成基底层,在上述基底层上使用光致抗蚀剂形成1个或多个槽部,在上述槽部中埋入与上述基底层的材料相同的材料,在去除上述光致抗蚀剂而形成的槽部中埋入记录层的磁性膜。

在本发明中,点结构体是指,对于连续的第1层配置有离散的第2层。在本发明的磁记录介质中,位于记录层的下部的基底层相当于该第1层,记录层的磁性膜相当于第2层。

另外,优选的是,在本发明的点结构体的第1层中的利用光致抗蚀剂形成的槽部中、或者在本发明的磁记录介质的基地层中的利用光致抗蚀剂形成的槽部中,通过外延生长来埋入与第1层或基底层相同的材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810170192.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top