[发明专利]点结构体、磁记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种点结构体，对于连续的第1层配置有离散的第2层，其特征在于，上述第1层具备具有晶体结构的薄膜、和在上述薄膜上利用光致抗蚀剂形成的1个或多个沟槽部中埋入与上述薄膜的材料相同的材料而一体形成的结构，在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的沟槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成了上述第2层。

2.根据权利要求1所述的点结构体，其特征在于，在利用上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中通过外延生长埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成了上述第1层。

3.根据权利要求2所述的点结构体，其特征在于，在通过去除上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中通过外延生长埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成了上述第2层。

4.一种点结构体的制造方法，在该结构体中，对于连续的第1层配置有离散的第2层，其特征在于，在具有晶体结构的薄膜上利用光致抗蚀剂形成1个或多个沟槽部，在上述沟槽部中埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成上述第1层，去除上述光致抗蚀剂而形成沟槽部，在该沟槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成离散的上述第2层。

5.根据权利要求4所述的点结构体的制造方法，其特征在于，在利用上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中以比槽的深度浅的深度埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成了上述第1层之后，在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的沟槽部中埋入与上述薄膜的材料不同的材料来形成上述第2层。

6.根据权利要求4所述的点结构体的制造方法，其特征在于，通过外延生长来埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成上述第1层。

7.根据权利要求4所述的点结构体的制造方法，其特征在于，在通过外延生长来埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成了上述第1层之后，通过在溶液中去除上述光致抗蚀剂而形成沟槽部，在该沟槽部中通过外延生长来埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成上述第2层。

8.一种磁记录介质，其特征在于，在基板上具有基底层，在上述基底层上利用光致抗蚀剂形成的1个或多个沟槽部中埋入有与上述基底层的材料相同的材料，在通过去除上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中埋入有记录层的磁性膜。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，上述与基底层的材料相同的材料是通过外延生长而埋入的。

10.根据权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，上述与基底层的材料相同的材料以及上述记录层的磁性膜都是通过外延生长埋入的。

11.根据权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，上述基底层是使用包含Cr、W、Mo中的任意一种的材料形成的，上述记录层是使用包含Co的材料形成的。

12.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，在基板上具有基底层，在上述基底层上利用光致抗蚀剂形成1个或多个沟槽部，在上述沟槽部中埋入了与上述基底层的材料相同的材料之后，去除上述光致抗蚀剂而形成沟槽部，在该沟槽部中埋入记录层的磁性膜。

13.根据权利要求12所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在利用上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中以比槽的深度浅的深度埋入与上述基底层的材料相同的材料之后，在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的沟槽部中埋入上述记录层的磁性膜。

14.根据权利要求12所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，通过外延生长来埋入与上述基体层的材料相同的材料。

15.根据权利要求12所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在通过外延生长来埋入了与上述基底层的材料相同的材料之后，通过在溶液中去除上述光致抗蚀剂而形成沟槽部，在该沟槽部中通过外延生长来埋入上述记录层的磁性膜。

16.根据权利要求12所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述基底层是使用包含Cr、W、Mo中的任意一种的材料成膜的，上述记录层是使用包含Co的材料成膜的。

17.一种磁记录介质，其特征在于，在基板上具有软磁性层，在上述软磁性层上具有基底层，在上述基底层上利用光致抗蚀剂形成的1个或多个沟槽部中埋入有与上述基底层的材料相同的材料，在通过去除上述光致抗蚀剂形成的沟槽部中埋入有记录层的磁性膜。