[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810168952.9 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101465166A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 广濑雅也;山本武史;大尾欣也;渡边研二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。在具有以例如数百MHz进行高速动作的多行并联配置式多级移位寄存器电路的半导体装置中，即使由于该移位寄存器电路的规模(面积)增大而使布线延迟显现化时，也能按照实际速度对所述移位寄存器电路中的错误进行检测。当将N行并联配置式M级移位寄存器电路(101)的N行中的例如两行移位寄存器设定为一组时，在每一组中，输入电路(102)向构成一组的两行移位寄存器输入同一测试图形。用比较电路(103)对该一组中的各行移位寄存器的输出之间加以比较后，仅将该比较结果进行输出。所述N行并联配置式M级移位寄存器电路(101)和所述比较电路(103)接收数百MHz的时钟信号CK而进行动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，具有使N行的每一行上的M级移位寄存器彼此平行配置的N行并联配置式M级移位寄存器电路，N、M是2以上的整数，其特征在于：在所述N行并联配置式M级移位寄存器电路中，具有多个由N行中的多行移位寄存器构成的组，所述多个组中的每一组都具有：输入电路，向一组移位寄存器输入相同的测试图形，和比较电路，对构成所述一组的多行移位寄存器的输出之间进行比较。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810168952.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
