[发明专利]多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔氮化硅－二氧化硅透波材料的制备方法，首先将平均直径为0.1～0.6微米的Si₃N₄粉与酚醛树脂制成混合粉料，经球磨、烘干后破碎，模压制成坯体；然后在高温管式炉中进行氧化烧结，制备出多孔Si₃N₄－SiO₂复相陶瓷；对多孔Si₃N₄－SiO₂复相陶瓷进行多次浸渍硅溶胶后烘干；对浸渍了硅溶胶的多孔Si₃N₄－SiO₂复相陶瓷在常压流动的氮气中1200～1300℃烧结2～3小时，制成多孔Si₃N₄－SiO₂透波材料。本发明对多孔Si₃N₄－SiO₂复相陶瓷反复浸渍硅溶胶，Si₃N₄－SiO₂复相陶瓷的弯曲强度由现有技术的96.2MPa提高到101～124MPa。

主权项

1、一种多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：(a)将平均直径为0.1～0.6微米的Si3N4粉与酚醛树脂制成混合粉料，其中酚醛占混合粉料质量含量的10～20％，其余为Si3N4粉，然后以每100克粉料加入200～300毫升的无水乙醇的配比与15～25颗直径8～12毫米的氧化铝球，一起球磨15～20小时，在80～100℃烘干8～10小时，制备出Si3N4质量百分含量为80％～90％的混合粉料；将混合粉料破碎后，过40～60目筛，在80～100MPa压力下模压制成坯体；(b)将坯体放入高温管式炉中在氮气气氛下升温至1200～1300℃，然后在静态空气中保温2～3小时进行氧化烧结，制备出多孔Si3N4-SiO2复相陶瓷；(c)对多孔Si3N4-SiO2复相陶瓷浸渍1～5次硅溶胶，每次的浸渍时间为30～60分钟，每两次浸渍过程之间要超声清洗3～5分钟，清洗后在烘箱中80～100℃烘干3～5小时；(d)对浸渍了硅溶胶的多孔Si3N4-SiO2复相陶瓷在常压流动的氮气中1200～1300℃烧结2～3小时，制成多孔Si3N4-SiO2透波材料。