[发明专利]适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法无效

申请号：	200810150273.9	申请日：	2008-07-04
公开（公告）号：	CN101303978A	公开（公告）日：	2008-11-12
发明（设计）人：	杨林安;郝跃;张进城;倪金玉	申请（专利权）人：	西安电子科技大学
主分类号：	H01L21/335	分类号：	H01L21/335;H01L21/28;H01L21/321
代理公司：	陕西电子工业专利中心	代理人：	王品华;黎汉华
地址：	71007***	国省代码：	陕西;61
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开了一种适用于氮化镓(GaN)器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮/氮化镓异质结高电子迁移率器件(AlGaN/GaN HEMT)源/漏欧姆接触工艺中常规采用的Ti/Al/Ti/Au金属系，提出二次独立快速热退火技术方案，其中高温持续时间明显缩短，该技术使欧姆接触特性和合金表面形貌特征都有明显的改善，克服了常规的一次快速热退火技术存在的问题，也避免了两段台阶温度退火技术中长时间的温度处理对氮化镓材料可能造成的影响。本发明显著降低GaN HEMT器件制造的复杂度，提高器件可靠性，降低器件制造成本，为器件工艺实用化打下坚实的基础。
搜索关键词：	适用于氮化器件欧姆接触制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种适用于氮化镓器件N型欧姆接触制作方法，在宽禁带半导体氮化镓异质结外延层表面依次进行金属蒸发、源/漏电极区剥离、快速热退火，在金属层与外延层的界面形成欧姆接触，其特征在于，热退火采用两次独立的高温快速热退火过程。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810150273.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法无效

专利文献下载