[发明专利]适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法

权利要求书

1.一种适用于氮化镓器件N型欧姆接触制作方法，在宽禁带半导体氮化镓异质结外延层表面依次进行金属蒸发、源/漏电极区剥离、快速热退火，在金属层与外延层的界面形成欧姆接触，其特征在于，热退火采用两次独立的高温快速热退火过程。

2.根据权利要求1所述的N型欧姆接触制作方法，其特征在于，第二次快速热退火的高温温度高于第一次快速热退火的高温温度，该温度差不超过100℃。

3.根据权利要求1或2所述的N型欧姆接触制作方法，其特征在于，第一次快速热退火的工艺条件：退火温度为800℃～850℃之间，维持时间为15～20秒；第二次快速热退火的工艺条件：退火温度为850℃～900℃之间，维持时间为15～20秒。

4.根据权利要求1所述的N型欧姆接触制作方法，其特征在于第一次高温快速热退火与第二次高温快速热退火之间的时间间隔为60～180秒。

5.一种适用于氮化镓器件N型欧姆接触制作的快速热退火方法，包括如下过程：

(1)将制作N型欧姆接触的样品置氮气环境的退火设备中，在50℃～60℃温度下经过180～300秒的氮气预处理；

(2)预处理后开始快速升温至800℃～850℃，维持15～20秒，再通过增大氮气流量快速降温至300℃，完成第一次快速热退火过程；

(3)第一次快速热退火过程完成之后，维持60～180秒，开始快速升温至850℃～900℃，维持15～20秒，再降温至室温，完成第二次快速热退火过程。

6.根据权利要求5所述的快速热退方法，其特征在于，预处理的温度为50℃，时间为300秒；第一次快速热退火的温度为825℃，维持时间为15秒；第二次快速热退火的温度为850℃，维持时间为15秒。

7.根据权利要求5所述的快速热退方法，其特征在于第一次快速热退火的时间与第二次快速热退火的时间间隔为60秒。

8.根据权利要求5所述的快速热退火方法，其特征在于，制作N型欧姆接触的样品采用钛/铝/钛/金四层金属，或钛/铝/镍/金四层金属，或钛/铝/铂/金四层金属。