[发明专利]一种槽栅SOI LIGBT器件

摘要

一种槽栅SOI LIGBT器件，涉及半导体功率器件技术。本发明包括衬底、埋氧层、N型缓冲层、阳极P⁺区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、金属前介质层、P⁺区、N⁺区、多晶硅槽栅、LIGBT器件栅氧化层、P型沟道区、多晶硅槽栅金属和阴极金属，阴极金属与P⁺区和N⁺区连接，P⁺区10位于N⁺区11和阳极P⁺区4之间。本发明降低了栅氧化层附近的电场强度，防止了热载流子注入到栅氧中，增强了器件的可靠性。

主权项

1、一种槽栅SOI LIGBT器件，包括衬底(1)、埋氧层(2)、N型缓冲层(3)、阳极P+区(4)、阳极金属(5)、N型漂移区(6)、场氧化层(7)、金属前介质层(8)、P+区(10)、N+区(11)、多晶硅槽栅(12)、LIGBT器件栅氧化层(13)、P型沟道区(14)、多晶硅槽栅金属(15)和阴极金属(16)，阴极金属(16)与P+区(10)和N+区(11)连接，其特征在于，P+区(10)位于N+区(11)和阳极P+区(4)之间。