[发明专利]一种槽栅SOI LIGBT器件无效
| 申请号： | 200810147771.8 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101419981A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 乔明;罗波;杨帆;刘新新;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 | 代理人： | 刘 勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi ligbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种槽栅SOI LIGBT器件，包括衬底(1)、埋氧层(2)、N型缓冲层(3)、阳极P+区(4)、阳极金属(5)、N型漂移区(6)、场氧化层(7)、金属前介质层(8)、P+区(10)、N+区(11)、多晶硅槽栅(12)、LIGBT器件栅氧化层(13)、P型沟道区(14)、多晶硅槽栅金属(15)和阴极金属(16)，阴极金属(16)与P+区(10)和N+区(11)连接，其特征在于，P+区(10)位于N+区(11)和阳极P+区(4)之间。
2、如权利要求1所述的槽栅SOI LIGBT器件，其特征在于，P型沟道区(14)内侧设置有浓度较高的P型区(9)。
3、如权利要求1所述的槽栅SOI LIGBT器件，其特征在于，多晶硅槽栅(12)与埋氧层(2)相接。
4、如权利要求1所述的槽栅SOI LIGBT器件，其特征在于，在金属前介质层(8)内设置有多晶硅场板(17)。
5、如权利要求1所述的槽栅SOI LIGBT器件，其特征在于，在N型漂移区(6)中设置有Ptop区(18)。
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