[发明专利]显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810145666.0 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101369539A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;手塚祐朗;古野诚;鸟海聪志;神保安弘;大力浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显示装置的制造方法。在形成底栅型薄膜晶体管时，进行在栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜的工序，以及在微晶半导体膜上形成非晶半导体膜的工序。在形成微晶半导体膜的工序中，将反应室的压力设定为10－5Pa以下，将衬底的温度设定为120℃至220℃的范围内，通过导入氢及硅气体来生成等离子体，在进行成膜时，使氢等离子体作用到形成在栅绝缘膜表面的反应生成物来进行去除。另外，通过将HF频带的第一高频电力和VHF频带的第二高频电力彼此叠加并施加来生成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置的制造方法，包括如下工序：在衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜；以及在所述微晶半导体膜上形成非晶半导体膜，其中，所述形成微晶半导体膜的工序包括：将反应室的压力设定为10-5Pa以下；将所述衬底的温度设定为100℃至200℃的范围内；导入氢及稀有气体来生成等离子体；以及在形成所述微晶半导体膜时，使氢等离子体作用到形成在所述栅绝缘膜表面的反应生成物来蚀刻该反应生成物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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