[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，包括如下工序：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜；以 及

在所述微晶半导体膜上形成非晶半导体膜，

其中，所述形成微晶半导体膜的工序包括：

将反应室的压力设定为10^-5Pa以下；

将所述衬底的温度设定为100℃至200℃的范围内；

导入氢及稀有气体来生成等离子体；

在导入硅气体来形成所述微晶半导体膜的同时，使氢等离 子体作用到形成在所述栅绝缘膜表面的反应生成物来蚀刻该反 应生成物；以及

在形成所述微晶半导体膜的同时，使所述氢相对于所述硅 气体的流量比减小。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述微晶 半导体膜具有1×10¹⁷atoms/cm³以下的氧浓度。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，通过将三 甲基硼导入所述微晶半导体膜中，来形成i型或p型的微晶半导体膜。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在使所述 微晶半导体膜的表面不接触于大气的情况下，在所述微晶半导体膜上 形成所述非晶半导体膜。

5.一种显示装置的制造方法，包括如下工序：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜；以 及

在所述微晶半导体膜上形成非晶半导体膜，

其中，所述形成微晶半导体膜的工序包括：

将反应室的压力设定为10^-5Pa以下；

将所述衬底的温度设定为100℃至200℃的范围内；

导入氢及稀有气体来生成等离子体；

在导入硅气体来形成所述微晶半导体膜的同时，使氢等离 子体及稀有气体等离子体作用到形成在所述栅绝缘膜表面的反 应生成物来蚀刻该反应生成物；以及

在形成所述微晶半导体膜的同时，使所述氢相对于所述硅 气体的流量比减小，

其中，所述微晶半导体膜的厚度小于或等于50nm。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述微晶 半导体膜具有1×10¹⁷atoms/cm³以下的氧浓度。

7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，通过将三 甲基硼导入所述微晶半导体膜中，来形成i型或p型的微晶半导体膜。

8.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，在使所述 微晶半导体膜的表面不接触于大气的情况下，在所述微晶半导体膜上 形成所述非晶半导体膜。

9.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，在导入所 述硅气体之前停止导入所述稀有气体。

10.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，在导入 所述硅气体之后停止导入所述稀有气体，并且在所述硅气体的导入和 所述稀有气体的停止之间插入预定的期间。

11.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，使用氩 作为所述稀有气体。