[发明专利]一种多栅极场效应晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135549.6 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101355053A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 徐祖望;谢志宏;陶宏远;张长昀;钟堂轩;吕昇达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于形成可达6个场效应晶体管元件的多栅极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其中每一表面包括一表面用以形成一场效应晶体管于其上。本发明包括多栅极区域的先进CMOSFET元件结构，其具有改进的元件速度与性能以适用于形成先进的集成电路元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 场效应 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成多栅极区域场效应晶体管元件的方法，其特征在于其包括如下步骤：形成第一半导体材料于一基材之上；形成一开口于该第一半导体材料之中，以暴露出位于该开口底部的该基材；形成二侧壁半导体部分于该开口的内表面上，每一该些侧壁部分包括内、外表面与上表面；移除该第一半导体材料；形成一连续的栅极结构于该些侧壁部分的该些表面上，以形成多个场效应晶体管，该栅极结构包括栅极电介质与在其上的栅极电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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