[发明专利]固态成像装置及制造固态成像装置的方法有效
| 申请号: | 200810129026.0 | 申请日: | 2002-10-02 |
| 公开(公告)号: | CN101369596A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
| 发明(设计)人: | 春日卓 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种固态成像装置,由按照矩阵布置在半导体基板(6)表面上的光传感器(4)产生的电荷通过埋在光传感器(4)下面的第一和第二传输电极(12、14)传输。半导体基板(6)具有由硅的支撑基板(16)、缓冲层(18)和单晶硅的硅薄膜层(20)构成的多层结构。p-区(26)(溢出区)和起传输沟道作用的n型区(28)设置在光传感器(4)下面。第一和第二传输电极(12、14)埋入在n型区(28)与缓冲层(18)之间。绝缘层(30)插在n型区(28)与第一和第二传输电极(12、14)之间。由于在此构造中,没有传输电极出现在表面上,因此即使减小光传感器的尺寸以增加像素数量,也可以保持光传感器(4)的灵敏度,并且增加了光接收面积。 | ||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,具有多个光传感器,该装置包括:支撑基板;缓冲层,设置在该支撑基板的表面上,该缓冲层包括绝缘材料;硅薄膜,设置在所述缓冲层上;所述多个光传感器,设置在所述硅薄膜中,并且按矩阵图形布置;传输通道,设置为与所述光传感器的每个相邻;以及至少一个溢出泄漏电极,设置在所述缓冲层与至少一个所述光传感器之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





