[发明专利]固态成像装置及制造固态成像装置的方法有效

专利信息
申请号: 200810129026.0 申请日: 2002-10-02
公开(公告)号: CN101369596A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 春日卓 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种固态成像装置,由按照矩阵布置在半导体基板(6)表面上的光传感器(4)产生的电荷通过埋在光传感器(4)下面的第一和第二传输电极(12、14)传输。半导体基板(6)具有由硅的支撑基板(16)、缓冲层(18)和单晶硅的硅薄膜层(20)构成的多层结构。p区(26)(溢出区)和起传输沟道作用的n型区(28)设置在光传感器(4)下面。第一和第二传输电极(12、14)埋入在n型区(28)与缓冲层(18)之间。绝缘层(30)插在n型区(28)与第一和第二传输电极(12、14)之间。由于在此构造中,没有传输电极出现在表面上,因此即使减小光传感器的尺寸以增加像素数量,也可以保持光传感器(4)的灵敏度,并且增加了光接收面积。
搜索关键词: 固态 成像 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种固态成像装置,具有多个光传感器,该装置包括:支撑基板;缓冲层,设置在该支撑基板的表面上,该缓冲层包括绝缘材料;硅薄膜,设置在所述缓冲层上;所述多个光传感器,设置在所述硅薄膜中,并且按矩阵图形布置;传输通道,设置为与所述光传感器的每个相邻;以及至少一个溢出泄漏电极,设置在所述缓冲层与至少一个所述光传感器之间。
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