[发明专利]固态成像装置及制造固态成像装置的方法有效
| 申请号： | 200810129026.0 | 申请日： | 2002-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101369596A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 春日卓 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种固态成像装置，具有多个光传感器，该装置包括：
支撑基板；
缓冲层，设置在该支撑基板的表面上，该缓冲层包括绝缘材料；
硅薄膜，设置在所述缓冲层上；
所述多个光传感器，设置在所述硅薄膜中，并且按矩阵图形布置；
传输通道，设置为与所述光传感器的每个相邻；以及
至少一个溢出泄漏电极，设置在所述缓冲层与至少一个所述光传感器之间，在所述光传感器与所述溢出泄漏电极之间设置有p-区(26)和n型区(28)。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述光传感器的每一列设置有一个溢出泄漏电极。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述光传感器的每一行设置有一个溢出泄漏电极。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述光传感器的每一个设置有一个溢出泄漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
