[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810128305.5 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101340189A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 川东章悟 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：电平移位电路，将具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅的输入信号转换为具有从第一电源电势至第三电源电势的振幅的信号；第一输出部分，基于电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第一输出部分包括NMOS晶体管；以及第二输出部分，基于电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第二输出部分包括PMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：电平移位电路，将具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅的输入信号转换为具有从所述第一电源电势至第三电源电势的振幅的信号；第一输出部分，基于所述电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第一输出部分包括NMOS晶体管；以及第二输出部分，基于所述电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至所述输出端，所述第二输出部分包括PMOS晶体管。
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