[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200810128305.5 | 申请日: | 2008-07-04 |
公开(公告)号: | CN101340189A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 川东章悟 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/0948 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;黄启行 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
电平移位电路,基于输入信号来输出第一信号和第二信号,所述 输入信号具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅,所述第一信号 具有从所述第一电源电势至第三电源电势的振幅并且具有和输入信号 的逻辑电位相同的逻辑电位,并且所述第二信号具有从所述第一电源 电势至所述第三电源电势的振幅并且具有相对于所述输入信号的反相 逻辑电位;
第一NMOS晶体管,基于所述第一信号,将从所述第三电源电势 产生的电压输出至输出端;以及
第一PMOS晶体管,基于所述第二信号,将从所述第三电源电势产 生的电压输出至所述输出端,
其中,所述第一PMOS晶体管的源级连接到所述第一NMOS晶体管 的漏极并连接到第三电源电势,所述第一PMOS晶体管的漏极连接到所 述第一NMOS晶体管的源级并连接到所述输出端。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:在所述第一NMOS 晶体管的控制端和所述输出端之间连接的二极管元件。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述二极管元件是 齐纳二极管。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,将所述第一PMOS晶 体管连接在所述第三电源电势和所述输出端之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二NMOS晶体管, 以基于所述输入信号的反相信号来将从所述第一电源电势产生的电压 输出至所述输出端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810128305.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。