[发明专利]用于高温蚀刻高－K材料栅结构的方法无效
| 申请号： | 200810127585.8 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101339903A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘炜;松末英一;沈美华;肖尚可·德谢穆克;川濑羊平;安基特·强·潘;戴维·帕拉加什利;迈克尔·D·威沃思;约翰·I·夏恩;巴尔特·芬奇 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在高温下蚀刻高－K材料的方法。在一个实施方式中，在衬底上蚀刻高－K材料的方法可以包括将其上沉积有高－K材料层的衬底提供给腔室，利用蚀刻腔室中至少含有含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体，保持蚀刻腔室的内部体积表面的温度超过约100摄氏度，同时在等离子体中蚀刻高－K材料层，保持衬底的温度在约100摄氏度和250摄氏度之间，同时在等离子体中蚀刻高－K材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高温 蚀刻 材料 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻高-K材料的方法，包括：将其上沉积有高-K材料的衬底提供给蚀刻腔室；由所述蚀刻腔室中的至少包括含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体；以及将衬底的温度保持在约100摄氏度和约250摄氏度之间，同时在所述等离子体中蚀刻高-K材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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