[发明专利]薄膜制造方法有效
| 申请号： | 200810126986.1 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101620983A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李天锡;黄敬涵;张朝喨;杨耀渝 | 申请（专利权）人： | 李天锡 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种薄膜制造方法，其包括下列步骤：提供原始基板；形成蚀刻停止薄膜层于原始基板上；形成牺牲层于蚀刻停止薄膜层上；植入气体离子，以形成离子分布浓度高峰层并界定出有效转移薄膜层及剩余层；以及分离有效转移薄膜层及剩余层。可通过控制牺牲层的厚度，进而有效控制有效转移薄膜层的厚度。此外，也可使有效转移薄膜层厚度均匀，并且达到纳米等级的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一原始基板；形成一蚀刻停止薄膜层于该原始基板上；形成至少一牺牲层于该蚀刻停止薄膜层上；植入气体离子，其利用一离子布植技术，由该牺牲层植入气体离子并穿越该蚀刻停止薄膜层，并在该原始基板内形成一离子分布浓度高峰层以界定出一有效转移薄膜层及一剩余层；以及分离该有效转移薄膜层与该剩余层，其通过一输入能量处理使植入的离子聚合化而使其分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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