[发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构和制造方法有效
| 申请号： | 200810125145.9 | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101350369A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种底部阳极肖特基二极管，该肖特基二极管包括设置在半导体衬底的底表面上的阳极电极，该底部阳极肖特基二极管进一步包括设置在半导体衬底深处并基本延伸到设置在半导体底表面的阳极电极的下沉掺杂区域，所述下沉掺杂区域由具有肖特基阳极功能的埋设肖特基势垒金属覆盖。所述底部阳极肖特基二极管进一步包括从与肖特基势垒金属层相对的半导体衬底的顶表面附近的阴极电极横向延伸的横向阴极区域，其中，该横向阴极区域掺以与下沉掺杂区域相反的杂质并邻接该下沉掺杂区域，从而在施加正向偏压下通过横向阴极区域和下沉掺杂区域从阴极电极到阳极电极形成电流路径，在施加反向偏压下下沉掺杂区域耗尽阴极区域从而阻断漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 底部 阳极 肖特基 二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该肖特基二极管包括设置在半导体衬底的底表面上的阳极电极，所述底部阳极肖特基二极管进一步包括：设置在所述半导体衬底深处的下沉掺杂区域，该下沉掺杂区域基本延伸到设置在所述半导体的底表面上的阳极电极，该下沉掺杂区域由具有肖特基阳极功能的埋设肖特基势垒金属覆盖；以及所述的底部阳极肖特基二极管进一步包括从与所述肖特基势垒金属层相对的半导体衬底的顶表面附近的阴极电极横向延伸的横向阴极区域，其中，该横向阴极区域掺以与所述下沉掺杂区域相反的杂质并邻接所述下沉掺杂区域，从而在施加正向偏压下通过所述横向阴极区域和所述下沉掺杂区域在所述阴极电极和所述阳极电极之间形成电流路径，在施加反向偏压下所述下沉掺杂区域耗尽所述阴极区域从而阻断漏电流。
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