[发明专利]太阳能级φ6英吋无位错单晶硅的制备方法无效
| 申请号： | 200810123639.3 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101591806A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张伟 | 申请（专利权）人： | 镇江大成硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212132江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级φ6英吋无位错单晶硅的制备方法，依次包括如下步骤：(1)采用高纯多晶硅原料，使用硝酸和氢氟酸对原料进行化学腐蚀，除去表面杂质再用高纯水冲洗干净；(2)用无位错的单晶硅切制长度为100～130mm的籽晶；(3)先把多晶硅装入炉室，炉室内通氩气加热熔化硅料，硅料的熔点为1416℃，加热熔料的时间为4小时左右，再将籽晶接触液面，慢慢的向上提拉，液体硅就在籽晶下方逐渐结晶，拉制出单晶硅；本发明方法简单，制备无位错单晶硅的直径为6英吋(150mm)，用这样的单晶硅切成片子，再做成太阳能电池，其光电转换效率可达到15～18％。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 能级 英吋无位错 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能级φ6英时无位错单晶硅的制备方法，其特征是依次包括如下步骤：(1)采用高纯多晶硅原料，使用硝酸和氢氟酸对原料进行化学腐蚀，除去表面杂质再用高纯水冲洗干净；(2)用无位错的单晶硅切制长度为100～130mm的籽晶；(3)先把多晶硅装入炉室，炉室内通氩气加热熔化硅料，硅料的熔点为1416℃，加热熔料的时间为4小时左右，再将籽晶接触液面，慢慢的向上提拉，液体硅就在籽晶下方逐渐结晶，拉制出单晶硅。
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