[发明专利]固态电解液阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种固态电解液阻变存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。固态电解液阻变存储器包括衬底、绝缘衬底层、粘附层、下电极层、固态电解液薄膜、上电极层以及保护层。下电极层的材料为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物，如铂、金、钨或石墨中；上电极层的材料为在电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，如铜、银、铁、锌、镍、或汞；固态电解液薄膜的材料为氧化锆、氧化铝、氧化硅、氧化铪、氧化钨或氧化钼中的一种。本发明具有结构简单、易集成、成本低的优点。同时本发明的固态电解液阻变存储器制备方法具有工艺简单、操作方便并可与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点，有利于广泛推广和应用。

主权项

1、一种固态电解液阻变存储器，包括下电极层和上电极层；在所述下电极层与上电极层之间有固态电解液薄膜，其特征在于，所述下电极层的材料为一种在电场作用下性质稳定的金属、石墨或导电化合物；所述上电极层的材料为一种在电场作用下易于被氧化为金属离子的金属；所述固态电解液薄膜的材料为氧化锆、氧化铝、氧化硅、氧化铪、氧化钨或氧化钼。