[发明专利]大马士革互连工艺中铜金属填充方法有效
| 申请号： | 200810118423.8 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651117A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨柏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100016北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大马士革互连工艺中铜金属填充方法，属于集成电路制造领域。所述方法包括：首先对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤；每次铜电镀和铜重溅射步骤之间进行去气；最后进行一次最终铜电镀；所述n＝Int[(R-2)/2]；其中R为欲填充的孔隙深/宽比；所述Int函数的定义为：将任意实数向上取整为最接近的整数。本发明的铜金属填充方法中的铜重溅射步骤将上一电镀步骤后堆积在欲填充孔隙顶部拐角处的铜金属通过轰击进行剥离，消除了孔洞形成的成因。特别是针对45纳米以下技术节点、接触孔实际宽度＜70纳米、孔隙深宽比大于2∶1的孔隙，可以保证孔隙的无孔洞填充。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 互连 工艺 金属 填充 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大马士革互连工艺中铜金属填充方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：步骤A：对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤；步骤B：进行一次最终铜电镀；所述n＝Int[(R-2)/2]；其中R为欲填充的孔隙深/宽比；所述Int函数的定义为：将任意实数向上取整为最接近的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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