[发明专利]大马士革互连工艺中铜金属填充方法有效
| 申请号: | 200810118423.8 | 申请日: | 2008-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN101651117A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
| 发明(设计)人: | 杨柏 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 王建国 |
| 地址: | 100016北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 大马士革 互连 工艺 金属 填充 方法 | ||
1.一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:
步骤A:对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤;每一次所述铜电镀步骤中,对欲填充的孔隙完成等于2倍孔隙宽度的铜金属填充深度;所述铜重溅射步骤具体为对已经沉积的铜金属进行轰击,将欲填充孔隙顶部拐角处已经沉积的较厚的铜金属剥离;
步骤B:进行一次最终铜电镀;
所述n=Int[(R-2)/2];其中R为欲填充的孔隙深/宽比;所述R大于2;所述Int函数的定义为:将任意实数向上取整为最接近的整数。
2.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述步骤B的最终铜电镀完成对欲填充的孔隙剩余深度的填充。
3.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,在所述步骤A中每次铜电镀步骤和铜重溅射步骤之间,设置去气步骤。
4.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述步骤A中的铜重溅射步骤在铜籽晶层物理气相沉积腔室中完成;所述铜重溅射步骤使用的工艺硅片偏压为350W至750W。
5.根据权利要求3所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述去气步骤具体为通过加热去除前道工艺残留的可挥发气体杂质,同时实现已填充铜金属的再结晶,调整晶体结构,获得低金属电阻;
6.根据权利要求5所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述去气步骤在去气腔室完成;去气加热温度为150至350摄氏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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