[发明专利]大马士革互连工艺中铜金属填充方法有效

专利信息
申请号: 200810118423.8 申请日: 2008-08-14
公开(公告)号: CN101651117A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 杨柏 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100016北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 大马士革 互连 工艺 金属 填充 方法
【权利要求书】:

1.一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:

步骤A:对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤;每一次所述铜电镀步骤中,对欲填充的孔隙完成等于2倍孔隙宽度的铜金属填充深度;所述铜重溅射步骤具体为对已经沉积的铜金属进行轰击,将欲填充孔隙顶部拐角处已经沉积的较厚的铜金属剥离;

步骤B:进行一次最终铜电镀;

所述n=Int[(R-2)/2];其中R为欲填充的孔隙深/宽比;所述R大于2;所述Int函数的定义为:将任意实数向上取整为最接近的整数。

2.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述步骤B的最终铜电镀完成对欲填充的孔隙剩余深度的填充。

3.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,在所述步骤A中每次铜电镀步骤和铜重溅射步骤之间,设置去气步骤。

4.根据权利要求1所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述步骤A中的铜重溅射步骤在铜籽晶层物理气相沉积腔室中完成;所述铜重溅射步骤使用的工艺硅片偏压为350W至750W。

5.根据权利要求3所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述去气步骤具体为通过加热去除前道工艺残留的可挥发气体杂质,同时实现已填充铜金属的再结晶,调整晶体结构,获得低金属电阻;

6.根据权利要求5所述的一种大马士革工艺中铜金属填充方法,其特征在于,所述去气步骤在去气腔室完成;去气加热温度为150至350摄氏度。

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