[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200810110601.2 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101315930A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 川崎健一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H03K19/00;H03K5/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件,其包括:被提供第一电源电压的第一电源线;被提供第二电源电压的第二电源线;电连接到内部电路的第三电源线;第一开关,其被配置来电连接或者断开第一电源线和第三电源线;第二开关,其被配置来电连接或者断开第二电源线和第三电源线;以及控制电路,其控制第二开关,以在第一电源线和第三电源线基于第一开关而彼此连接后的预定时段后,控制第二开关以电连接第一电源线和第三电源线。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:被提供第一电源电压的第一电源线;被提供第二电源电压的第二电源线;电连接到内部电路的第三电源线;第一开关,其被配置来电连接或者断开所述第一电源线和所述第三电源线;第二开关,其被配置来电连接或者断开所述第二电源线和所述第三电源线;以及,控制电路,其在控制所述第一开关以电连接所述第一电源线和所述第三电源线之后的预定时段后,控制所述第二开关以电连接所述第一电源线和所述第三电源线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的