[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法及其测试方法

摘要

提供了一种用于缩小尺寸的SiP或PoP的半导体器件及其制造方法，以及适于SiP和PoP的测试方法，其中实现了系统的简化及其效率的提高。挑选出确定为非缺陷的包括第一存储器电路的第一半导体器件和确定为非缺陷的包括第二存储器电路和根据程序执行信号处理的信号处理电路的第二半导体器件。将所挑选出的器件组装为一体化半导体器件。在测试板上，供给与半导体器件的实际操作等效的时钟信号。将用于对第一存储器电路进行性能测试的测试程序从测试器写入到第二半导体器件的第二存储器电路。在信号处理电路中，对应于时钟信号，根据写入的测试程序对第一存储器电路进行性能测试。将该性能测试的故障/非故障确定的结果输出给测试器。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：第1工艺，用于形成具有第一存储器电路的第一半导体器件；第2工艺，用于对所述第一半导体器件进行电测试，以便挑选出非缺陷项；第3工艺，用于形成具有信号处理电路和第二存储器电路的第二半导体器件，所述信号处理电路根据程序执行信号处理；第4工艺，用于对所述第二半导体器件的信号处理电路和第二存储器电路进行电测试，以便挑选出非缺陷项；第5工艺，用于一体化地配置在所述第2工艺中挑选出的所述第一半导体器件和在所述第4工艺中挑选出的所述第二半导体器件，并将它们各自的对应端子耦合在一起；以及第6工艺，用于将在所述第5工艺中一体化配置的半导体器件安装在测试板之上，并进行电测试以便确定该半导体器件的故障/非故障，其中所述测试板设置有振荡电路，所述振荡电路向所述半导体器件共同地供给与所述半导体器件的实际操作等效的时钟信号，以及其中所述第6工艺包括：第一操作，用于将用于对所述第一半导体器件的第一存储器电路进行性能测试的测试程序从测试器写入到所述第二半导体器件的第二存储器电路；第二操作，用于对应于所述时钟信号，根据写入到所述第二存储器电路的测试程序，通过所述第二半导体器件的信号处理电路对所述第一半导体器件的第一存储器电路进行性能测试；以及第三操作，用于将所述第二操作中的故障/非故障确定的结果输出到所述测试器。