[发明专利]凹入式沟道晶体管结构有效
| 申请号： | 200810109134.1 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587908A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王哲麒;廖伟明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种凹入式沟道晶体管结构，包含一半导体基底；一沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出一有源区域；一栅极沟槽，设于该有源区域中，该栅极沟槽包含一垂直侧壁部分及一球型底部；一凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，该凹入式栅极包含一球型栅极下部，位于该球型底部；一栅极氧化层，位于该球型底部；一源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；一漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及一沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从一栅极沟道宽度方向来看，为一上凸的曲面轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 凹入式 沟道 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种凹入式沟道晶体管结构，包含有：半导体基底；沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出有源区域；栅极沟槽，设于该有源区域中，其中该栅极沟槽包含垂直侧壁部分以及球型底部；凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，且该凹入式栅极包含球型栅极下部，位于该球型底部；栅极氧化层，位于该球型底部，介于该半导体基底与该球型栅极下部之间；源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从栅极沟道宽度方向来看，为上凸的曲面轮廓。
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