[发明专利]FFS模式显示装置的阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810104068.9 申请日: 2008-04-15
公开(公告)号: CN101561594A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 薛建设 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 代理人: 申 健
地址: 100176北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种FFS模式显示装置的阵列基板及阵列基板,涉及显示器技术,为增强像素的透过率而发明。阵列基板包括:基板、公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极,其中薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极,栅极与栅线连接,源电极与数据扫描线连接,漏电极与像素电极连接,钝化层位于源漏电极及数据扫描线之上,漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔,像素电极为∧形像素电极,形成在钝化层之上,并通过钝化层过孔与漏电极相连,其特征在于,数据扫描线位于,∧形像素电极中“/”形部分与“\”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。本发明能够增强像素的透过率,提高显示质量。
搜索关键词: ffs 模式 显示装置 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种FFS模式显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括基板、公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极,其中所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极,所述栅极与所述栅线连接,所述源电极与所述数据扫描线连接,所述漏电极与所述像素电极连接,所述钝化层位于所述源漏电极及数据扫描线之上,所述漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔,所述像素电极为∧形像素电极,形成在所述钝化层之上,并通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连,其特征在于,所述数据扫描线位于,所述∧形像素电极中“/”形部分与“\”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。
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