[发明专利]FFS模式显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术，尤其涉及一种FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着制造技术的发展，液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)已经取代传统的显像管显示器而成为未来显示器的主流。而在LCD显示器中，TFT LCD显示装置具有功耗低、制造成本相对较低、和无辐射的特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。

TFT LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。其中，所述TFT LCD器件的阵列基板结构包括：一组栅极扫描线和与所述栅极扫描线垂直交叉的一组数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线定义了像素区域。其中每一个像素包含有一个TFT开关器件、像素电极和公共电极。其中，所述TFT开关器件由栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极组成。钝化层覆盖在所述源漏电极之上，并在所述漏电极上方形成钝化层过孔。在所述的钝化层上形成有像素电极，所述像素电极通过钝化层过孔与TFT的漏极相连接。并且，所述像素电极的一部分和栅极扫描线一起形成存储电容。

目前TFT LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式，IPS(In-P1ane-Switching，平面方向转换)模式，FFS模式等。其中的FFS模式，它通过透明平面电极和指状电极的组合，可以形成更合理的平面电场，优化液晶分子的排列；同时由于用透明电极代替不透明的金属电极，明显提高了透光率。

但是在应用FFS技术的过程中，发明人发现，在其阵列基板的结构中，由于其像素电极为∧形排列(指状电极)，在指状电极的“/”形部分与“/”形部分像素电极的交界处，由于两部分像素电极的相互作用，使得这部分的电场不规则，从而导致液晶的排列杂乱无序，而形成了液晶的显示盲区，因而影响了像素的透过率和显示质量。另外，由于环保的要求，目前的背光源的功耗逐渐变小，这就要求在其他条件不变的情况下，为了达到与之前相同的显示效果，就必须提高像素的透过率。

发明内容

本发明提供了一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板，以增强像素的透过率。

本发明FFS模式液晶显示装置的阵列基板采用以下技术方案：

一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：所述阵列基板包括基板、公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极，其中所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极，所述栅极与所述栅线连接，所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接，所述钝化层位于所述源漏电极及数据扫描线之上，所述漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔，所述像素电极为∧形像素电极，形成在所述钝化层之上，并通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连，所述数据扫描线位于，所述∧形像素电极中“/”形部分与“/”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。

本发明还提供了一种薄膜晶体管液晶显示装置的阵列基板的制造方法，利用所述方法能够增强像素的透过率。

本发明一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法采用以下技术方案：

一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，包括在基板上形成公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极，其中，形成的所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极，形成的所述栅极与所述栅线连接，形成的所述源电极与所述数据扫描线连接，形成的所述漏电极与所述像素电极连接，形成的所述钝化层位于所述源漏电极及数据扫描线之上，所述漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔，形成的所述像素电极为∧形像素电极，形成在所述钝化层之上，并通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连，形成的所述数据扫描线使位于所述∧形像素电极中“/”形部分与“/”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。

与现有技术相比，由于所述数据扫描线位于所述像素电极的中间位置的下方，也即位于显示盲区的位置的下方，因此，按照现有技术中阵列基板中本应该形成数据扫描线的地方，成为两个像素之间为光透过的部分。也就是说，本发明所述的薄膜晶体管液晶显示装置的阵列基板的结构，正是利用了像素中间的显示盲区，将原来形成显示盲区的地方形成数据扫描线。那么，由于在现有技术中放置数据扫描线的地方成为光透过的部分，因此在此光透过的部分，可以适当的扩大像素电极的面积，从而增强了像素的透过率，增大了显示面积，提高了液晶的显示质量。

附图说明

图1是本发明FFS模式液晶显示装置的阵列基板的单一像素的俯视图；