[发明专利]FFS模式显示装置的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括基板、公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极，其中所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极，所述栅极与所述栅线连接，所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接，所述钝化层位于所述源漏电极及数据扫描线之上，所述漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔，所述像素电极为∧形像素电极，形成在所述钝化层之上，并通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连，其特征在于，所述数据扫描线位于，所述∧形像素电极中“/”形部分与“/”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。

2.根据权利要求1所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层或所述钝化层采用SiNx，SiOx或SiOxNy的单层膜，或者由SiNx，SiOx或SiOxNy之一或其任意组合所形成的复合膜层。

3.根据权利要求1所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述栅线、所述栅极、所述数据扫描线、所述源电极和漏电极采用AlNd，Al，Cu，Mo，MoW或Cr的单层膜，或采用由AlNd，Al，Cu中的之一或任意与Mo，MoW或Cr之一或任意组成的复合膜。

4.根据权利要求1的FFS模式液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极为铟锡氧化物或者铟锌氧化物。

5.一种FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，包括在基板上形成公共电极、栅线及数据扫描线、栅极绝缘层、薄膜晶体管、钝化层、像素电极，其中，形成的所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极、漏电极，形成的所述栅极与所述栅线连接，形成的所述源电极与所述数据扫描线连接，形成的所述漏电极与所述像素电极连接，形成的所述钝化层位于所述源漏电极及数据扫描线之上，所述漏电极的钝化层上形成有钝化层过孔，形成的所述像素电极为∧形像素电极，形成在所述钝化层之上，并通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连，其特征在于，形成的所述数据扫描线使位于所述∧形像素电极中“/”形部分与“/”形部分像素电极交界处所对应的位置的下方。

6.根据权利要求5所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

在基板上沉积公共电极层，通过构图工艺，形成公共电极；

在所述形成有公共电极的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成栅极及栅极扫描线；

在所述形成栅极扫描线的基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成栅极及栅极绝缘层；

在所述栅极的栅极绝缘层之上通过构图工艺形成有源层；

在所述有源层上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成源电极、漏电极以及数据扫描线；

在所述源漏电极及数据扫描线之上，沉积钝化层薄膜，形成钝化层，并通过构图工艺在所述漏极的钝化层上形成钝化层过孔；

在所述钝化层之上，沉积像素电极薄膜，通过构图工艺形成∧形像素电极，所述∧形像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极相连，其中，所述“/”形部分与“/”形部分像素电极的交界处的下方与所述数据扫描线对应。

7.根据权利要求5或6所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅绝缘层或所述钝化层采用SiNx，SiOx或SiOxNy的单层膜，或者由SiNx，SiOx或SiOxNy之一或其任意组合所形成的复合膜层。

8.根据权利要求5或6所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅线、所述栅极、所述数据扫描线、所述源电极和漏电极为AlNd，Al，Cu，Mo，MoW或Cr的单层膜，或采用由AlNd，Al，Cu中的之一或任意与Mo，MoW或Cr之一或任意组成的复合膜。

9.根据权利要求5或6所述的FFS模式液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极为铟锡氧化物或者铟锌氧化物。