[发明专利]制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法和相关器件

摘要

提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间；以及，形成跨越多个互连图案的多个第一掩膜图案，多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有上绝缘层的半导体基板上相互平行。方法可以包括：形成第二掩膜图案，其自对准于多个第一掩膜图案并且位于多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间，使用第一和第二掩膜图案和多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀上绝缘层和下绝缘层，以形成使半导体基板暴露的多个接触孔，并且在多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。还提供了半导体器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在所述下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，该上绝缘层被配置为填充在所述互连图案之间；形成跨越所述多个互连图案的多个第一掩膜图案，所述多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有所述上绝缘层的所述半导体基板上相互平行；形成第二掩膜图案，该第二掩膜图案自对准于所述多个第一掩膜图案并且位于所述多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间；使用所述第一和第二掩膜图案和所述多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀所述上绝缘层和所述下绝缘层，以形成使所述半导体基板暴露的多个接触孔；以及在所述多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。