[发明专利]形成倒装芯片突起载体式封装的方法有效
申请号: | 200810098969.1 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101383301A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 卢威耀;叶兴强 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 柴毅敏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过提供金属箔片并在片的第一表面中形成腔来形成倒装芯片突起载体式封装。用导电金属镀覆腔以形成外部互连。在金属箔的第一表面和镀覆腔上形成绝缘膜,然后在绝缘膜中形成通孔。通孔接触相应的镀覆腔。然后镀覆通孔,并在绝缘膜和镀覆通孔上形成焊接阻挡膜。处理焊接阻挡膜以在通孔上形成暴露区域,然后用导电金属镀覆该暴露区域。将突起的半导体管芯附装到金属箔的第一表面,其中管芯突起接触相应的镀覆暴露区域,其将管芯电连接到镀覆腔。最后,移除金属箔片使得露出镀覆腔的外表面。如上所述,镀覆腔的外表面形成管芯和印刷电路板之间的电互连。 | ||
搜索关键词: | 形成 倒装 芯片 突起 载体 封装 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种封装半导体集成电路的方法,包括:提供金属箔片;在所述金属箔片的第一表面中形成多个腔;用导电金属镀覆所述腔;在金属箔的第一表面和镀覆腔上形成绝缘膜;在所述绝缘膜中形成多个通孔,其中所述通孔接触相应的所述镀覆腔;用导电金属镀覆所述通孔;在所述绝缘膜和镀覆通孔上形成焊接阻挡膜;处理所述焊接阻挡膜以在所述通孔上形成暴露区域;用导电金属镀覆所述通孔上的暴露区域;将突起的半导体管芯附装到金属箔的第一表面,其中管芯突起接触相应的镀覆暴露区域,由此将所述管芯电连接到镀覆腔;以及移除所述金属箔片使得露出镀覆腔的外表面,由此所述镀覆腔的外表面形成与半导体管芯的电互连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810098969.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:医用电极
- 下一篇:制作冰冻果汁的方法以及冰冻果汁
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造