[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括半导体衬底、金属互连层、光接收单元、透镜型上电极以及滤色镜。所述半导体衬底可以包括电路区域。所述金属互连层可以包括金属互连和层间电介质。所述光接收单元可以是设置在金属互连层上的光电二极管。透镜型上电极可以设置在光接收单元上并形成凸透镜形状。所述滤色镜可以设置在所述透镜型上电极上。在本发明中，通过垂直层叠晶体管电路和光电二极管，填充系数可以接近100％。利用这种垂直排列，对于相同大小的像素，可以提供比现有技术中水平图像传感器更高的敏感度。

主权项

1.一种图像传感器，其包含：半导体衬底，在该半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体电路；金属互连层，其位于包括所述互补金属氧化物半导体电路的所述半导体衬底上，并包括金属互连和层间电介质；光接收单元，其位于所述金属互连层上；以及上电极，其位于所述光接收单元上，所述上电极形成为具有凸透镜形状的透镜型上电极。