[发明专利]电极的恢复处理方法无效
申请号: | 200810096085.2 | 申请日: | 2003-05-27 |
公开(公告)号: | CN101271849A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 铃木威之;若林良典 | 申请(专利权)人: | 山一电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电极的恢复处理方法。按规定的压力将具有规定粗糙度的复制面10的复制板10的复制面10s接触于形成在具有比复制板10的线膨胀率大的线膨胀率的基材44M上的接触片44的多个突点44B,并将基材44M和复制板10加热到规定的温度,从而使突点44B的连接面恢复为规定粗糙度的表面。 | ||
搜索关键词: | 电极 恢复 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电极的恢复处理方法,包括第1工序、第2工序、及第3工序,在所述第1工序,在电极板的电极部的连接面上载置复制板,使该复制板的表面与该连接面相互接触,该电极板具有形成于绝缘基板上的电极部,并且通过该电极部的连接面与半导体器件的端子部进行电连接,该复制板由线膨胀率与该电极板的绝缘基板的线膨胀率存在差值的材料制成,并且具有形成有凹凸的表面;在所述第2工序,以规定的压力朝该电极部的连接面推压在上述第1工序中载置于上述电极部的连接面的复制板,同时在规定温度下对该复制板和上述电极板加热规定期间;在所述第3工序,使复制板离开上述电极板,在上述电极部的连接面上获得规定的凹凸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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