[发明专利]溅射薄膜形成方法、电子器件制造方法以及溅射系统有效
| 申请号： | 200810096001.5 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295631A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 北野尚武;山田直树;角田隆明;山口述夫;小须田求 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/66;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射薄膜形成方法，其与薄膜将形成于其上的衬底10的表面倾斜地定位目标4和5，以及在薄膜将形成于其上的衬底10的表面上在倾斜方向上形成薄膜，同时相对于垂直轴旋转衬底10，在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜的形成，其中当衬底旋转360度×n+180度+α，其中n是包括0的自然数，并且－10度＜α＜10度时，终止薄膜的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 薄膜 形成 方法 电子器件 制造 以及 系统 | ||
【主权项】：
1.一种溅射薄膜形成方法，包括步骤：与薄膜将形成于其上的衬底的表面倾斜地定位目标，以及在薄膜将形成于其上的衬底的表面上形成薄膜，同时相对于与衬底表面垂直的轴旋转衬底；以及在从薄膜形成开始的预先确定时间终止薄膜的形成，其中当衬底旋转360度×n+180度+α时，终止薄膜的形成，其中n是包括0的自然数，并且-10度＜α＜10度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
