[发明专利]一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺

摘要

本发明公开了一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一衬底；一透明导电膜；一非晶硅P型半导体层；一超晶格半导体层；一本征型(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，该超晶格半导体层利用不同材料的薄膜相互堆叠而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1、一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于，其包含：一衬底，该衬底的一面为照光面；一透明导电膜，形成在该衬底上，该透明导电膜用以取出电能与提升光电转换的效率；一非晶硅P型半导体层，形成在该透明导电膜的上方，该非晶硅P型半导体层的厚度在0.5微米至5微米之间；一超晶格半导体层，形成在该非晶硅P型半导体层的上方，该超晶格半导体层由非晶硅与结晶硅相互堆叠而成，堆叠次数在3至10次之间，且该超晶格半导体层的厚度在10纳米至150纳米之间，用以提高太阳能电池的电特性；一本征型半导体层，该本征型半导体层内具有一镶埋结晶硅，该本征型半导体层形成在超晶格半导体层的上方，该本征型半导体层的厚度在0.5微米至5微米之间，用以提高太阳能电池的电特性；一N型半导体层，形成在该本征型半导体层的上方，该N型半导体层的厚度在0.5微米至5微米之间；以及一电极，形成在该N型半导体层的上方，该电极用以取出电能与提升光电转换的效率。