[发明专利]降低存储器元件的第二位效应的半导体结构以及方法无效
| 申请号： | 200810091909.7 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101345262A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;徐子轩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低存储器元件的第二位效应的半导体结构以及方法。一种能够储存二位信息的非易失性存储单元，具有与至少一电介电层(例如氧化物)关联地层迭的非导电性电荷捕捉介电质(例如氮化硅)，其中在两源极或漏极区之间的衬底的阱区内，注入P型衬底以及N型沟道。N型沟道可在没有施加偏压至存储单元的栅极层的情况下，实现反转层。一种在存储单元的P型衬底内注入N型沟道的方法，其中N型沟道降低存储单元的未程序化或已程序化电压阈值，降低的电压阈值低于没有N型沟道情况下的电压阈值。N型沟道可降低第二位效应，使得位的已程序化电压阈值与未程序化电压阈值之间的操作窗口变宽。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 存储器 元件 第二位 效应 半导体 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：一半导体衬底，具有一主表面；一第一源极或漏极区，位于该半导体衬底的一部分内并紧邻该主表面；一第二源极或漏极区，位于该半导体衬底的一部分内并紧邻该主表面；一阱区，设置于该半导体衬底的一部分内，紧邻该主表面并位于该第一源极或漏极区以及该第二源极或漏极区之间；一第一介电层，设置于该主表面的一部分上并紧邻该阱区；一电荷捕捉层，设置于该第一介电层上方；一栅极层，设置于该电荷捕捉层上方；以及一沟道区，设置于该阱区内，紧邻该半导体衬底的该主表面并与该第一源极或漏极区以及该第二源极或漏极区连接。
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