[发明专利]移除基底上的绝缘层的方法和化学机械研磨工艺无效
| 申请号： | 200810090520.0 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308790A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 吕战;蔡腾群;李志岳;杨凯钧;黄建中;陈佳禧;吴姿慧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B29/00;B24B37/04;B24B55/00;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种移除基底上的绝缘层的方法以及对应的化学机械研磨工艺，该方法包括对绝缘层进行第一化学机械研磨工艺及后续的第二化学机械研磨工艺，其中第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7。第一第二化学机械研磨工艺之间还包括一清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 绝缘 方法 化学 机械 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种移除基底上的绝缘层的方法，包括对该绝缘层进行第一化学机械研磨工艺以及后续的第二化学机械研磨工艺，该第一化学机械研磨工艺所使用的研浆与该第二化学机械研磨工艺所使用的研浆的pH值相等且大于7，且其中在该第一与第二化学机械研磨工艺之间包括清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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