[发明专利]曝光系统、光罩及其设计方法有效
申请号: | 200810090363.3 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101546114A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 林佳蔚;黄登烟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 洪;霍育栋 |
地址: | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种曝光系统、光罩及其设计方法,该曝光系统包含一光源系统和一光罩,该光源系统用于产生一曝光光源,而该光罩运用光子晶体作为该光罩之遮光区,其中光子晶体之晶格常数与曝光光源之波长的比值是被设定于该光子晶体的光子频隙内,因此该曝光光源将无法通过由该光子晶体所组成之遮光区。应用本发明,在光刻工艺中让曝光光源能精确地透过光罩之透光区,因而本发明之光罩及曝光系统将不再需要进行高成本的OPC或其它RET技术,即可有效克服光刻工艺中的光绕射效应问题。 | ||
搜索关键词: | 曝光 系统 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光罩,其特征在于,所述光罩包含一光源无法通过的一遮光区以及一透光区,其中该遮光区包含复数光子晶胞,该复数光子晶胞之一晶格常数与该光源之波长的比值为一特定值,且在该遮光区内此特定值落于该复数光子晶胞的频隙之内。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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