[发明专利]曝光系统、光罩及其设计方法有效

专利信息
申请号: 200810090363.3 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101546114A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 林佳蔚;黄登烟 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F7/20
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 龙 洪;霍育栋
地址: 台湾省桃园县龟山*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种曝光系统、光罩及其设计方法,该曝光系统包含一光源系统和一光罩,该光源系统用于产生一曝光光源,而该光罩运用光子晶体作为该光罩之遮光区,其中光子晶体之晶格常数与曝光光源之波长的比值是被设定于该光子晶体的光子频隙内,因此该曝光光源将无法通过由该光子晶体所组成之遮光区。应用本发明,在光刻工艺中让曝光光源能精确地透过光罩之透光区,因而本发明之光罩及曝光系统将不再需要进行高成本的OPC或其它RET技术,即可有效克服光刻工艺中的光绕射效应问题。
搜索关键词: 曝光 系统 及其 设计 方法
【主权项】:
1、一种光罩,其特征在于,所述光罩包含一光源无法通过的一遮光区以及一透光区,其中该遮光区包含复数光子晶胞,该复数光子晶胞之一晶格常数与该光源之波长的比值为一特定值,且在该遮光区内此特定值落于该复数光子晶胞的频隙之内。
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