[发明专利]曝光系统、光罩及其设计方法

权利要求书

1.一种光罩，其特征在于，

所述光罩包含一光源无法通过的一遮光区以及一透光区，其中该遮光区 包含复数光子晶胞，该复数光子晶胞之一晶格常数与该光源之波长的比值为 一特定值，在该遮光区内此特定值落于该复数光子晶胞的频隙之内，每一光 子晶胞具有一受光面，且该受光面为一矩形或一三角形，该光源以垂直于该 光罩的方向，通过该光罩的透光区，其中该每一光子晶胞包含一第一介电质 以及一第二介电质，当该受光面为矩形时，该第一介电质为四个长方体，并 围绕该第二介电质以形成该矩形，而当该受光面为三角形时，在该第一介电 质中以穿孔方式设置空气柱，以形成复数个圆柱状的该第二介电质。

2.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，

所述光源为一横电场波，且所述特定值为0.3301至0.4510。

3.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，

所述光源为一横电场波，且所述特定值为0.5455至0.5988。

4.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，

所述光源为一横磁场波，且所述特定值为0.4212至0.4642。

5.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，

该光源由该受光面入射。

6.如权利要求5所述的光罩，其特征在于，

所述光源为一横磁场波，且所述特定值为0.3213至0.5049。

7.如权利要求5所述的光罩，其特征在于，

所述特定值为0.4207至0.4709。

8.一种曝光系统，其特征在于，

所述曝光系统用于将一光罩图案转移至一组件，该曝光系统包含：

一光源系统，用于产生一曝光光源；以及

一光罩，其包含一光子晶体，其中该光子晶体之一晶格常数与该曝光光 源之一波长的比值是被设定于该光子晶体的一光子频隙内，以形成一遮光 区，其中该光罩还包含一透光区，该光子晶体具有一受光面，且该受光面为 一矩形或一三角形，该光子晶体包含一第一介电质以及一第二介电质，当该 受光面为矩形时，该第一介电质为四个长方体，并围绕该第二介电质以形成 该矩形，而当该受光面为三角形时，在该第一介电质中以穿孔方式设置空气 柱，以形成复数个圆柱状的该第二介电质，且该曝光光源垂直于该光罩的 方向，通过该光罩的该透光区。

9.一种光罩，其特征在于，

包含：

光罩基板其具有一表面；

一透光区，设置于所述表面；以及

一遮光区，设置于所述表面，其中该遮光区是由复数光子晶胞以一特定 晶格形状排列而成，一光源以垂直于该光罩基板的该表面的方向，通过该光 罩的该透光区，该特定晶格形状为一矩形或一三角形，该每一光子晶胞包含 一第一介电质以及一第二介电质，当该特定晶格形状为矩形时，该第一介电 质为四个长方体，并围绕该第二介电质以形成该矩形，而当该特定晶格形状 为三角形时，在该第一介电质中以穿孔方式设置空气柱，以形成复数个圆柱 状的该第二介电质。

10.一种光罩制作方法，其特征在于，

包含下列步骤：

提供一光罩基板；

将所述光罩基板之一表面划分为一透光区以及一遮光区；

设置复数光子晶胞于所述遮光区，其中该每一光子晶胞具有一特定晶格 形状，且该特定晶格形状为一矩形或一三角形，一光源以垂直于该光罩基板 的该表面的方向，通过该光罩的该透光区，该每一光于晶胞包含一第一介电 质以及一第二介电质，当该特定晶格形状为矩形时，该第一介电质为四个长 方体，并围绕该第二介电质以形成该矩形，而当该特定晶格形状为三角形时， 在该第一介电质中以穿孔方式设置空气柱，以形成复数个圆柱状的该第二介 电质。