[发明专利]用于制备含溶剂的低介电材料的组合物

摘要

本文公开了介电常数为3.7或更低的二氧化硅基材料和薄膜以及用于制备它们的组合物和方法以及使用它们的方法。一方面，提供了一种用于制备二氧化硅基材料的组合物，其含有至少一种二氧化硅源、溶剂、至少一种气孔源、任选的催化剂和任选的流动添加剂，其中溶剂在90℃－170℃的温度范围内沸腾，并且选自由下式表示的化合物：HO－CHR⁸－CHR⁹－CH₂－CHR¹⁰R¹¹，其中R⁸，R⁹，R¹⁰和R¹¹可以独立地为1－4个碳原子的烷基基团或氢原子；和R¹²－CO－R¹³，其中R¹²是具有3－6个碳原子的烃基；R¹³是具有1－3个碳原子的烃基；以及它们的混合物。

主权项

1、一种用于形成介电常数约3.7或更低的二氧化硅基薄膜的组合物，其含有：至少一种二氧化硅源、溶剂、任选的至少一种气孔源、任选的催化剂以及流动添加剂。