[发明专利]电容器结构无效
| 申请号： | 200810087271.X | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276812A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冈本圣美;杉冈徹郎;足立一树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电容器结构，其中，在第一布线层上设置有：第一电极(16)，其具有从第一电极布线(11)的电极基部(14)以梳状突出的多个齿部(15)；和第二电极(26)，其具有从第二电极布线(21)的电极基部(24)以梳状突出的多个齿部(25)。第一电极(16)与第二电极(26)以齿部(15、25)彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。并且，第一电极(16)其至少一个齿部(15)与形成在第二布线层上的第三电极布线(12)电连接。由此，提供一种与以往同等程度的面积、寄生电感成分和寄生电阻成分比以往小、且具有良好的高频特性的电容器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种电容器结构，其形成在半导体基板上，该电容器结构包括：第一和第二电极布线，形成在第一布线层上；第一电极，其具有从所述第一电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；和第二电极，其具有从所述第二电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；所述第一电极与所述第二电极以所述齿部彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置，所述第一电极的所述各齿部中的至少一个与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与所述第一布线层不同的第二布线层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
