[发明专利]局部离子注入设备及方法无效
| 申请号： | 200810087230.0 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101335176A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 卢俓奉;金东锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束的能量；且随后的第二减速单元根据晶片区域将该能量进一步减速为不同能量水平，其中离子将被注入晶片区域。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 离子 注入 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将离子注入晶片的设备，所述设备包括：离子束发生器；第一减速单元，能够初级减速由所述离子束发生器产生的离子束的能量；以及第二减速单元，能够根据所述晶片的可离子注入区域将被初级减速的所述离子束的能量次级减速为第一或第二能量水平。
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