[发明专利]局部离子注入设备及方法

权利要求书

1.一种用于将离子注入晶片的设备，所述设备包括：

离子束发生器；

第一减速单元，能够初级减速由所述离子束发生器产生的离子束的能量；以及

第二减速单元，能够根据所述晶片的可离子注入区域将被初级减速的所述离子束的能量次级减速为第一或第二能量水平。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二减速单元包括至少一个减速电极。

3.如权利要求1所述的设备，还包括：

晶片支架，可调节以定位所述晶片的第一区域来接收具有所述第一能量水平的所述离子束并将其注入所述第一区域内，以及可调节以定位所述晶片的第二区域来接收具有所述第二能量水平的所述离子束并将其注入所述第二区域内。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述晶片支架可调节以沿基本上垂直于所注入的离子束的方向来定位所述晶片。

5.如权利要求3所述的设备，其中所述晶片支架是可旋转的。

6.如权利要求3所述的设备，其中所述晶片支架是可变化地倾斜的。

7.一种局部离子注入方法，包括：

提供具有第一和第二可离子注入区域的晶片；

产生离子束；

初始减速所产生的离子束；

根据所述晶片的区域，将初始减速的离子束进一步减速到不同的第一或第二能量水平；以及

将来自具有所述第一能量水平的所述离子束的离子注入到第一晶片区域，并将来自具有所述第二能量水平的所述离子束的离子注入到第二晶片区域。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

移动所述晶片，使得来自具有所述第一能量水平的所述离子束的离子注入到所述第一晶片区域，以及来自具有所述第二能量水平的所述离子束的离子注入到所述第二晶片区域。