[发明专利]超低电压次带隙电压参考产生器有效
| 申请号： | 200810085708.6 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101349928A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 谢祯辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/22 | 分类号： | G05F3/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低电压次带隙参考电路。在一实施例中，低电压次带隙参考电路包含一差动放大器以及基极及集极耦合至一电接地的一第一双极晶体管。参考电路还包括一第二双极晶体管，其具有耦合至电接地的基极及集极。参考电路还包括一DC偏压电路，供应一预定电压输出于高及低电压端之间，高电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两集极，而低电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两基极。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 次带隙 参考 产生器 | ||
【主权项】：
1.一种参考电压产生电路，包含：第一双极晶体管，具有顺向偏压的射极-基极PN接面二极管；以及DC偏压电路，供应预定电压输出于高电压端及低电压端之间，所述高电压端及低电压端分别耦合至所述第一双极晶体管的集极及基极。
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